Последний раз этот стандарт был пересмотрен в 2020.
Поэтому данная версия остается актуальной
Тезис
PreviewISO 23812:2009 specifies a procedure for calibrating the depth scale in a shallow region, less than 50 nm deep, in SIMS depth profiling of silicon, using multiple delta-layer reference materials.
It is not applicable to the surface-transient region where the sputtering rate is not in the steady state.
It is applicable to single-crystalline silicon, polycrystalline silicon and amorphous silicon.
-
Текущий статус: ОпубликованоДата публикации: 2009-04
-
Версия: 1
-
- ICS :
- 71.040.40 Chemical analysis
Приобрести данный стандарт
ru
| Формат | Язык | |
|---|---|---|
| std 1 124 | ||
| std 2 124 | Бумажный |
- CHF124
Жизненный цикл
-
Сейчас
ОпубликованоISO 23812:2009
Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет
Этап: 90.93 (Подтверждено)-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00
Появились вопросы?
Ознакомьтесь с FAQ
Работа с клиентами
+41 22 749 08 88
Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)