ISO 12406:2010 - Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon

Последний раз этот стандарт был пересмотрен в 2021. Поэтому данная версия остается актуальной

Тезис

ISO 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 10¹⁶ atoms/cm³ and 2,5 x 10²¹ atoms/cm³, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Общая информация

Текущий статус
: Опубликовано

Дата публикации
: 2010-11
Версия
: 1
Технический комитет
: ISO/TC 201/SC 6 Secondary ion mass spectrometry
ICS
:
71.040.40 Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

	Формат	Язык
std 1 92	PDF
std 2 92	Бумажный

CHF92

Жизненный цикл

Сейчас

Опубликовано

ISO 12406:2010

Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет
Этап: 90.93 (Подтверждено)

Данный стандарт разработан для достижения следующих Цели в области устойчивого развития

Недорогостоящая и чистая энергия

Индустриализация, инновации и инфраструктура

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами

+41 22 749 08 88

customerservice@iso.org

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)