недоступно на русском языке

Тезис

 Preview

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.


Общая информация 

  • Текущий статус
     : Опубликовано
    Дата публикации
     : 2014-09
  • Версия
     : 2
  • Технический комитет
     : ISO/TC 201/SC 6 Secondary ion mass spectrometry
  • ICS
     :
    71.040.40 Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF61

Жизненный цикл

Цели в области устойчивого развития

Данный стандарт разработан для достижения следующих Цели в области устойчивого развития

7
Недорогостоящая и чистая энергия
9
Индустриализация, инновации и инфраструктура

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. МКС
  5. 71
  6. 71.040
  7. 71.040.40
  8. ISO 17560:2014